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      無(wú)氧烘箱,無(wú)氧化烘箱

      無(wú)氧烘箱,無(wú)氧化烘箱

      簡(jiǎn)要描述:

      無(wú)氧烘箱,無(wú)氧化烘箱在半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中,晶圓表面預(yù)處理、涂膠、曝光前后的烘焙即曝光后烘烤(Post Exposure Bake,PEB)、對(duì)準(zhǔn)、顯影、顯影后烘焙等因素都會(huì)對(duì)光刻工藝效果帶來(lái)顯著影響

      無(wú)氧烘箱,無(wú)氧化烘箱的重要性

        在半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中,晶圓表面預(yù)處理、涂膠、曝光前后的烘焙即曝光后烘烤(Post Exposure Bake,PEB)、對(duì)準(zhǔn)、顯影、顯影后烘焙等因素都會(huì)對(duì)光刻工藝效果帶來(lái)顯著影響。更重要的是晶圓曝光后烘烤溫度的變化會(huì)影響終成像的光刻特征尺寸,因此光刻工藝中曝光后烘烤條件溫度的選取顯得尤為重要。然而在高溫烘烤時(shí)防氧化更為重要。

      無(wú)氧烘箱,無(wú)氧化烘箱主要用途

         無(wú)氧烘箱用半導(dǎo)體集成電路制造中的封裝,堅(jiān)膜,老化等工藝。PI、BCB膠高溫固化烘烤、光刻膠固化工藝要求,適用于觸摸屏、晶圓、LED、PCB板、ITO玻璃等.

      無(wú)氧化烘箱技術(shù)性能

      內(nèi)部大?。篧350mm×D350mm×H350mm,W600mm×D600mm×H600mm可定制

      材料:外部采用優(yōu)質(zhì)冷軋板噴塑,內(nèi)部采用優(yōu)質(zhì)耐高溫SUS304不銹鋼

      溫度指標(biāo):50-300、450℃

      溫度分辨率: 0.1℃

      波動(dòng)度:<±1.0℃

      均勻度:≤±1.5%

      潔凈度: class 100,可選配

      升溫速度:0-10℃/min

      降溫速度:依降溫配置而定

      氧濃度:≤ 20ppm 

      操作方式:人機(jī)交互;

      控制:曲線升降溫模式

      控溫儀表:進(jìn)口溫控儀

      控溫段數(shù):23×20段

      測(cè)溫裝置:高精度熱電偶

      超溫保護(hù):獨(dú)立限溫保護(hù)

      檢測(cè)點(diǎn)數(shù):6點(diǎn)檢測(cè),記錄儀

      氮?dú)饪刂疲貉b有雙通道可調(diào)式氮?dú)饬髁坑?jì),全程通氮?dú)?/span>

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